等離子技術(shù)

                    等離子技術(shù)

                    首頁(yè) / 等離子技術(shù) / 等離子技術(shù) / 等離子刻蝕

                    等離子刻蝕

                    分享:

                    等離子體刻蝕(plasma-etching)是通過(guò)等離子體中活性粒子與材料表面原子發(fā)生化學(xué)或物理反應,生成揮發(fā)性產(chǎn)物從而實(shí)現材料去除的過(guò)程。

                    等離子刻蝕示意圖

                    等離子刻蝕

                    等離子刻蝕按反應機理類(lèi)型主要分為物理、化學(xué)性刻蝕以及反應離子刻蝕三種。其中物理性刻蝕又稱(chēng)為濺射刻蝕。

                    物理刻蝕

                    物理刻蝕屬于純粹的物理過(guò)程,主要通過(guò)等離子體中的離子與物質(zhì)表面分子發(fā)生的濺射反應(sputtering reaction)來(lái)實(shí)現。高速運動(dòng)的離子撞擊物質(zhì)表面分子,當碰撞傳導的能量超過(guò)原子的結合能足以使其逃逸物體表面時(shí),就會(huì )發(fā)生物理濺射反應。與典型的濺射技術(shù)中的能量要求相比,等離子體中離子的能量相對較低,因此濺射反應發(fā)生率還是比較低的濺射產(chǎn)物非常少。

                    (如Ar+)對基片表面的撞擊,以離子能量損失為代價(jià), 將基片表面的原子濺射出來(lái),形成刻蝕效果。物理刻蝕速度較快,具有各向異性,但選擇性差, 刻蝕效果不理想。

                    化學(xué)反應刻蝕

                    化學(xué)反應刻蝕是一種或者多種反應氣體被激發(fā)成等離子態(tài)后,所形成的活性粒子或者活性基團與被刻蝕物體進(jìn)行化學(xué)反應,形成易揮發(fā)的反應產(chǎn)物,從而達到刻蝕效果?;瘜W(xué)刻蝕具有高度選擇性,但不具有方向性。

                    典型的等離子刻蝕反應為:

                    F*+Si→FSi4

                    反應離子性刻蝕(RIE)

                    包括反應離子的濺射;化學(xué)刻蝕過(guò)程中副產(chǎn)物的物理濺射;形成刻蝕表面??涛g過(guò)程中,物理刻蝕與化學(xué)刻蝕同時(shí)發(fā)生,刻蝕速率比單一的物理或化學(xué)刻蝕速率快,反應離子性刻蝕既有方向性又有選擇性。

                    等離子刻蝕

                    等離子體刻蝕往往是上述幾種反應的綜合,既包含物理刻蝕,也包括化學(xué)反應刻蝕,但氣相化學(xué)反應刻蝕起主要作用。等離子體刻蝕可以用來(lái)去除聚合物表面雜質(zhì),改變物體的表面微觀(guān)形貌,從而改善聚合物表面親水性、可印刷性、可粘合性以及上染性等等。


                    熱門(mén)產(chǎn)品

                    聯(lián)系我們
                    • 133-8039-4543
                    • sales@naentech.cn
                    • 廣東省深圳市光明區華明城高新產(chǎn)業(yè)園A棟5樓
                    向我們咨詢(xún)

                    Copyright@ 深圳納恩科技有限公司 All Rights Reserved| Sitemap | Powered by Reanod | 粵ICP備2022035280號 | 備案號:粵ICP備2022035280號

                    wechat
                    wechat
                    在线观看亚洲一区二区_国内老熟妇对白HDXXXX_精品九九久久国内精品_欧美人与性动交α欧美精品